Celle solari

Accelleratore ionico. Dispositivo simile a un piccolo accelleratore di particelle che ha lo scopo di bombardare con ioni di fosforo ad alta velocità la superficie di silicio della cella FV. Tale procedimento(definito anche con il termine sputtering) consente, rispetto al normale processo di diffusione in forno, una più accurata valutazione della profondità di penetrazione degli ioni sulla superficie del silicio e una più omogenea costituzione dello strato -n sulla superficie del wafer.

APCVD (Atmospheric Pressure Chemical Vapour Deposition). Sistema di evaporazione a pressione atmosferica per la posa dello strato antiriflesso sulla superficie della cella FV.

Arseniuro di Gallio. Composto chimico dotato di caratteristiche elettriche tipiche dei semiconduttori. Viene utilizzato per produrre celle ad altissimo rendimento, anche se generalmente limitate all’uso spaziale a causa dei notevoli costi di produzione.

Bulk. Lingotto di silicio all’uscita dal crogiolo di fusione.

Busbar. Conduttore principale di connessione, costituito generalmente di argento e applicato sulla superficie esposta della cella fotovoltaica.

Carico elettrico (W). Quantità di potenza elettrica istantanea erogata, consumata e assorbita da un qualsiasi utilizzatore elettrico. Si misura in Watt (W).

CdTe. Formula chimica del tellurio di Cadmio.

Cella a multigiunzione verticale. Cella composta, costituita da differenti materiali semiconduttori disposti a strati, uno sull’altro, e che permettono alle differenti porzioni di spettro solare di essere convertite in elettricità a differenti profondità, aumentando con ciò l’efficienza totale di conversione della luce incidente. Viene anche definita come Split spectrum cell o VMJ (Vertical Multijunction Cell).

Cella fotovoltaica. Elemento base del generatore fotovoltaico, costituito da materiale semiconduttore opportunamente trattato mediante “drogaggio”, che converte la radiazione solare in elettricità.

CIS/CIGS. Sigla convenzionale del Diseleniuro di Indio e Rame (CIS), semiconduttore policristallino composto che viene spesso arricchito con gallio (CIGS) per aumentarne l’efficienza e la tensione di circuito aperto Voc. Una cella di CIS o CIGS viene realizzata utilizzando come substrato del vetro (2-3 mm di spessore) su cui viene depositato un sottile strato di molibdato (circa 0,5 °m), che costituisce il contatto posteriore. Successivamente viene depositato il materiale assorbitore (CIS o CIGS) con uno spesore di 2-3 °m. La giunzione, che costituisce la cella vera e propria, viene realizzata unendo al materiale assorbitore uno strato tampone o “buffer” di CdS (Solfuro di Cadmio, 0,05-0,07 °m di spessore), quasi interamente trasparente alla luce visibile e infrarossa. Infine, viene depositato l’ultimo film di ZnO (Ossido di Zinco, circa 2 °m di spessore), materiale trasparente e buon conduttore, che costituisce il contatto frontale della cella. Durante un unico processo possono essere realizzate più celle sullo stesso substrao.

Contatti locali. Presenza di uno strato di passivazione superficiale sul retro della cella, combinato con una serie di contatti locali puntiformi (generalmente spaziati poco meno di un millimetro) per l’estrazione della corrente.

Curva I-V. Grafico che, in un dispositivo fotovoltaico, indica le caratteristiche della corrente in funzione della tensione.

Czochralski (Processo -). Metodo di produzione di un lingotto di silicio monocristallino agendo mediante trazione sul materiale in fusione. La trazione avviene contemporaneamente a un moto rotatorio che determina la crescita di un lingotto di forma cilindrica.

Diffusione. Processo mediante il quale la cella di silicio viene sottoposta al drogaggio con ioni di fosforo per permettere di costruire sulla sua superficie uno strato superficiale di tipo -n, necessario per ottenere la giunzione p-n, nucleo fondamentale del funzionamento della cella fotovoltaica. Il processo di diffusione avviene in forni speciali, a temperatura non inferiore agli 870° C e per tempi di circa 15-20 minuti.

Diseleniuro di Indio e Rame (CulnSe2). Semiconduttore policristallino composto utilizzato per la costruzione di celle fotovoltaiche. Viene normalmente indicato con la sigla convenzionale CIS.

Drogaggio. Introduzione di quantità molto piccole (dell’ordine di 1 su 1.000.000) di impurità (elementi droganti) all’interno del materiale semiconduttore, al fine di “disturbare” la perfezione cristallina dello stesso a dare origine a un sensibile aumento delle capacità elettriche intrinseche.

Celle solariultima modifica: 2011-07-08T01:35:00+02:00da glarocca

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